回收renesas单片机 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前 先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时), 的擦除操作 在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师 权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。 W29C040-90Z W29C040P-70B W29C040P-90B W29C040P-90Z W29C040T-90B W29C512AP-90 W29EE011-15 W29EE011-90 W29EE011P-90
W29EE512P-70 W39D040AP70Z W39F010P-70B W39L040AP70Z W39L512Q-90 W39V040CPZ W39V040FAP W39V080FAPZ W49F002U-12B W49F002UP12B W49V002AP W49V002FAP
W6692CF W681310RG W77C32-40 W77C32F-40 W77E58-40 W77E58P-40 W77IE58P W77L058A25PL W78C31BP-24 W78C32B-16 W78C32B-24 W78C32CP-40 W78C438CP-40
W78E051C40DL W78E052B40DL W78E052B40PL W78E052C40PL W78E054B40DL W78E054B40PL W78E058B40DL W78E058B40PL W78E51-40 W78E516B-40 W78E516B40DL
W78E516B40PL W78E516BP-24 W78E516BP-40 W78E52-24 W78E52B-40 W78E52BP-40 W78E54B-24 W78E54B-40 W78E54BP-40 W78E58-24 W78E58B-40 W78E58BP-24
W78E58BP-40 W78E62BP-40 W78L516A24PL W78LE516D-24